Разработка IBM заменит оперативную и флеш-память

Исследовательская лаборатория IBM Research объявила о совершении прорыва в разработке нового типа компьютерной памяти на фазовых переходах (PCM). В перспективе технология IBM позволит электронным устройствам перейти от модулей оперативной памяти и флеш-накопителей, которые быстрее изнашиваются и выходят из строя, к быстрому и надежному типу хранения данных.

PCM (phase-change memory) — это новый, энергонезависимый тип оптического хранения информации, который работает посредством изменения свойств халькогенидного стекла (таким же образом данные хранятся на перезаписываемых дисках Blu-ray) путем приложения электрического тока к PCM-ячейкам.

Ранее возможности памяти с фазовым переходом были ограничены из-за невозможности записать больше одного бита информации в ячейку. Однако ученые IBM, выяснив, как кристаллы реагируют на высокие температуры, смогли найти способ хранения трех битов данных в каждой ячейке памяти. Открытие является очень важным, "поскольку при этой плотности цена PCM будет значительно ниже, чем DRAM, и ближе к флеш", — сказали в компании.

Более того, PCM в разы быстрее традиционной флеш-памяти и DRAM (динамической оперативной памяти с произвольным доступом). Сочетание постоянной памяти и PCM позволит существенно повысить быстродействие мобильных устройств. "Например, операционная система мобильного телефона может храниться в PCM, сокращая время загрузки до нескольких секунд", — говорится в пресс-релизе IBM.

От PCM выиграют и дата-центры, которые смогут быстрее обрабатывать огромные массивы информации, связанные с "облачными" вычислениями, финансовыми транзакциями и машинным обучением. В сравнении с обычной флеш-памятью, которой хватает примерно на 3 тысячи циклов записи, PCM способна выдержать до 10 миллионов операций.

Источник: The Verge