2 июля 2022, 15:28

Samsung наладил серийное производство 3-нанометровых чипов

Компания Samsung объявила о начале массового производства процессоров с применением 3-нанометрового технологического процесса. Чипы 1-го поколения построены на новой транзисторной архитектуре GAA (Gate-All-Around) — более совершенной, чем применявшаяся до этого FinFET.

3-нм продукция 1-го поколения, в сравнении с 5-нм, позволяет снизить уровень энергопотребления на 45%, увеличить быстродействие транзисторов на 23%, а также повысить плотность их размещения на 16%.

Продукция 2-го поколения, заверили в Samsung, будет еще более продвинутая. Она сможет потреблять на 50% меньше энергии, повысит производительность на 30%, а занимаемая ею площадь будет уменьшена на 35%.

Архитектура GAA позволяет еще сильнее уменьшить размеры транзисторов, не влияя на их способность проводить ток. Ожидается, что компоненты для мобильных устройств будут производиться по нормам 3-нм не ранее 2023 года.

Samsung опередила Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), которая только занимается переходом на 3-нм нормы производства. Тайваньская компания рассчитывает приступить к серийному производству 3-нм продукции во втором полугодии.

Подписывайтесь на наши страницы в соцсетях:
"Смотрим"ВКонтакте, Одноклассники, Яндекс.Дзен и Telegram
Вести.RuВКонтакте, Одноклассники, Яндекс.Дзен и Telegram.

Читайте также

Видео по теме

Эфир

Лента новостей

Авто-геолокация